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TJ30S06M3L(T6L1,NQ

Name: Toshiba TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TJ30S06M3LT6L1NQ
Price: 1.95 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TJ30S06M3LT6L1NQ

Herst.- Nr.:

TJ30S06M3L(T6L1,NQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218

Datenblatt:

TJ30S06M3L(T6L1,NQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,95 €	1,95 €
	1,26 €	12,60 €
	0,853 €	85,30 €
	0,681 €	340,50 €
	0,641 €	641,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	0,562 €	1.124,00 €
	0,56 €	2.240,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	21.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	80 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	68 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q100
Handelsname:	U-MOSVI
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	TJ30S06M3L
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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Datenblatt

TJ30S06M3L(T6L1,NQ Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Simulation Model

PCN

Changes in Packing Material and Packing Method (PDF)

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Automotive-Lösungen

Toshiba Automotive-Lösungen bieten verschiedene Automotive-Halbleiter-Bauteile, die zur Verbesserung der Fahrsicherheit ausgelegt sind. Dazu gehören erweiterte Fahrerassistenzsysteme (FAS) mit einem Bilderkennungsprozessor. Toshiba bietet modernste Halbleitertechnologien aus einer Zukunftsperspektive, um umfassende Fahrerassistenzlösungen zu liefern. Diese Lösungen umfassen autonomes Fahren, das menschliche Augen und andere komplexe menschliche Sinne emuliert.