NHUMB1 PNP/PNP-Doppeltransistoren

Nexperia NHUMB1 PNP/PNP-Doppeltransistoren sind zur Vereinfachung des Schaltungsdesigns ausgelegt und zeichnen sich durch eine hohe Durchschlagspannung, integrierte Widerstände, eine geringere Anzahl von Bauteilen und reduzierte Bestückungskosten aus. Diese Transistoren werden bei einer Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) von -80 V, einem Ausgangsstrom von -100 mA (IO) und einem Umgebungstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C (Tamb) betrieben. Typische Applikationen sind digitale Applikationen, kostensparende Alternativen für die BC856-Baureihe, die Steuerung von IC-Eingängen und das Schalten von Lasten.

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