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CGHV50200F

Name: MACOM CGHV50200F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV50200F
Price: 1418.91 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-CGHV50200F

Herst.- Nr.:

CGHV50200F

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt

Datenblatt:

CGHV50200F Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
Versandbeschränkungen:	Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	4402015
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	17 A
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 3.4 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Marke:	MACOM
Entwicklungs-Kit:	CGHV50200F-AMP
Verstärkung:	11.5 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	5 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	4.4 GHz
Ausgangsleistung:	180 W
Verpackung:	Tray
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 10 V to 2 V

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Datenblatt

CGHV50200F Datenblatt (PDF)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: 3A001.b.3.a

CGHV50200F GaN-HEMT

Der Wolfspeed CGHV50200F 200W-GaN-HEMT (Gallium-Nitrid-High-Electron-Mobility-Transistor) eignet sich hervorragend für SatCom-Applikationen wie z. B. Troposcatter-Kommunikation und Beyond-Line-of-Site (BLOS). Der CGHV50200F GaN-HEMT ist für eine einfache Bedienung auf 50 Ω abgestimmt. Er ist für den Continuous-Wave-(CW)-Impuls und die Linear-Modi des Leistungsverstärkerbetriebs ausgelegt. Dieses Bauteil wird in einem 440217-Keramik-/Metall-Flansch-Gehäuse geliefert.