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NVHL075N065SC1

Name: onsemi NVHL075N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL075N065SC1
Price: 10.82 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVHL075N065SC1

Herst.- Nr.:

NVHL075N065SC1

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM

Datenblatt:

NVHL075N065SC1 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	38 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	85 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Qg - Gate-Ladung:	61 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	74 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	9 S
Verpackung:	Tube
Produkt:	Mosfets
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	26 ns
Serie:	NVHL075N065SC1
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns

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Datenblatt

NVHL075N065SC1 Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVHL075N065SC1 Siliziumkarbid (SIC)-MOSFETs

Die onsemi NVHL075N065SC1 Siliziumkarbid (SIC)-MOSFETs sind leistungsstarke Bauteile mit außergewöhnlichen Eigenschaften. Der NVHL075N065SC1 von onsemi bietet einen typischen R_DS(on) von 57 mΩ bei einer Gate-Quellenspannung (V_GS) von 18 V und 75 mΩ bei 15 V. Das Bauteil verfügt über eine extrem niedrige Gate-Ladung (Q_G(tot) = 61 nC) und eine niedrige Ausgangskapazität (C_oss = 107 pF), um ein schnelles Schalten und reduzierte Leistungsverluste zu gewährleisten.

M2 EliteSiC-MOSFETs

onsemi M2 EliteSic-MOSFETs verfügen über Spannungsoptionen von 650 V, 750 V und 1.200 V. Die M2-MOSFETs von onsemi sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar, einschließlich D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4-8x8, TO-247-3LD und TO-247-4LD. Die MOSFETs bieten Flexibilität bei Design und Implementierung. Darüber hinaus verfügen die M2 EliteSic MOSFETs über eine maximale Gate-Source-Spannung von +22 V/-8 V, einen niedrigen R_DS(on) und eine hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT).