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IRLHS6242TRPBF

Name: Infineon IRLHS6242TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRLHS6242TRPBF
Price: 0.56 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

942-IRLHS6242TRPBF

Herst.- Nr.:

IRLHS6242TRPBF

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

Datenblatt:

IRLHS6242TRPBF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,568 €	0,57 €
	0,32 €	3,20 €
	0,239 €	23,90 €
	0,20 €	100,00 €
	0,181 €	181,00 €
	0,163 €	326,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 4000)
	0,145 €	580,00 €
	0,12 €	960,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PQFN 2x2 (DFN2020)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	22 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.1 V
Qg - Gate-Ladung:	14 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	9.6 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	StrongIRFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	36 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	N-Channel
Verpackung ab Werk:	4000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.8 ns
Gewicht pro Stück:	10,430 mg

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Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRLHS6242PBF

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ultra Compact PQFN HEXFET® Power MOSFETs

Infineon Ultra Compact PQFN HEXFET® Power MOSFETs deliver an ultra-compact, high density and efficient solution for a wide variety of lower power applications including smartphones, tablet PCs, camcorders, digital still cameras, notebook PC, server and network communications equipment.

Induktive kabellose Ladelösungen

Die Infineon Technologies induktiven kabellosen Ladelösungen verwenden elektromagnetische Felder, um die Leistung von einer Sender- an eine Empfängerapplikation zu übertragen. Mithilfe eines kabellosen Ladenetzteils können mit dieser Technologie Batterien ohne physikalische Verbindung aufgeladen werden. Die Vorteile der kabellosen Aufladeapplikationen sind, dass kein Gerät eingesteckt werden muss und Steckerkompatibilitätsprobleme entfallen. Es ist auch sicherer, da keine Berührung von ungeschützten elektrischen Anschlüssen erforderlich ist. Das kabellose Laden ist zuverlässiger in raueren Umgebungen, beispielsweise beim Bohren und im Bergbau. Es ermöglicht auch eine nahtlose Aufladung unterwegs, ob im Auto oder an öffentlichen Plätzen. Zusätzlich werden verwickelte Ladekabel eliminiert, während gleichzeitig mehrere Geräte aufgeladen werden können.

Kabellose Ladelösungen

Die kabellosen Ladelösungen von Infineon erfüllen die heutige wachsende Nachfrage nach kabellosen Ladeapplikationen wie Smartphones, tragbare Geräte, Notebooks und Niederspannungsantriebsgeräte. Die hocheffizienten und kostengünstigen Geräte von Infineon ermöglichen modernste Lösungen für die Sendereinheit für induktive und resonante Standards. Die Geräte von Infineon sind für den Adapter oder das Ladegerät einsatzbereit und beschleunigen die Markteinführungszeit von kompletten drahtlosen Ladelösungen. Infineon ist ein Mitglied des Wireless Power Consortium und der AirFuel Alliance.

Leistungs-MOSFETs

Mit der Entwicklung und Einführung der ersten MOSFETs mit Hexaganol-Topologie im Jahre 1979 leistete Infineon Pionierarbeit im Bereich HEXFET-Leistungs-MOSFET-Technologie. Für diese Entwicklungen wurde bereits vier Jahre später ein umfassendes Patent erteilt und seitdem haben die meisten MOSFET-Hersteller die Designs und Verfahren lizenziert, die in diesem Markt eingeführt werden. Produkte von IR zeichnen sich durch den branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand des MOSFETs im Vergleich mit ähnlichen Komponenten ihrer Klasse aus und ermöglichen Leistungsumwandlungs-Subsystemdesigns, die einen bisher unerreichten Wirkungsgrad aufweisen. IR kombiniert die fortschrittliche Silizium-Technologie mit innovativer Verpackungstechnologie. Die POWIRTAB™-, Super-220™- und Super-247-Gehäuse von IR ermöglichen bis zu 20 A mehr Strom pro Bauteil mit demselben Footprint wie Standard-Gehäuse und erhöhen dadurch die Leistungsdichte. Die FlipFET®-Gehäusetechnologie von IR ist mit Standard-Lötverfahren zur Oberflächenmontage kompatibel, bietet ein Silizium-zu-Footprint-Verhältnis von 100 % mit der gleichen Leistungsfähigkeit wie herkömmliche Gehäuse und ist dadurch die ideale Lösung für tragbare Geräte, wie z. B. tragbare Telefone oder Notebooks. Das DirectFET®-Gehäuse von IR revolutioniert das Wärmemanagement im Footprint eines Standard-SO-8-Gehäuse, indem die Hitze des Boards über die Oberseite des Gehäuses abgeführt wird. Infolgedessen können DirectFET-MOSFETs die Stromdichte verdoppeln und gleichzeitig die Kosten für das Wärmemanagement in Hochstromschaltungen, die Mikroprozessoren der nächsten Generation betreiben, um die Hälfte reduzieren.