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LSIC1MO120G0040

Name: IXYS LSIC1MO120G0040
Brand: IXYS
SKU: 576-LSIC1MO120G0040
Price: 23.62 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

576-LSIC1MO120G0040

Herst.- Nr.:

LSIC1MO120G0040

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 50A N-CH SIC

Datenblatt:

LSIC1MO120G0040 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	70 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	50 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	175 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	357 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	LSIC1MO120G0xxx
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns

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Datenblatt

LSIC1MO120G0040 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

LSIC1MO120G0x n-Kanal-SiC-MOSFETs

Die LSIC1MO120G0x n-Kanal-SiC-MOSFETs von IXYS bieten eine Drain-Source-Nennspannung von 1200 V, einen Widerstandsbereich von 25 mΩ bis 160 mΩ und Ströme von 14 A bis 70 A. Diese MOSFETs sind für Hochfrequenzapplikationen mit hohem Wirkungsgrad optimiert und verfügen über einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand, einen niedrigen Gate-Widerstand und einen Normal-Aus-Betrieb bei allen Temperaturen. Die LSIC1MO120G0x n-Kanal-SiC-MOSFETs von IXYS eignen sich hervorragend für Solarwechselrichter, Schaltnetzteile, Motorantriebe, Akkuladegeräte und vieles mehr.