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DMTH6010LK3Q-13

Name: Diodes Incorporated DMTH6010LK3Q-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH6010LK3Q-13
Price: 1.84 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMTH6010LK3Q-13

Herst.- Nr.:

DMTH6010LK3Q-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 70A

Datenblatt:

DMTH6010LK3Q-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,84 €	1,84 €
	1,17 €	11,70 €
	0,784 €	78,40 €
	0,636 €	318,00 €
	0,57 €	570,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,506 €	1.265,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	70 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	41.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	60 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9.7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.3 ns
Serie:	DMTH6010
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	23.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.7 ns
Gewicht pro Stück:	340 mg

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Datenblatt

DMTH6010LK3Q-13 Datenblatt (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

DMTx-MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx-MOSFETs sind n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltung. Diese MOSFETs sind außerdem zur Erfüllung der strengen Anforderungen von Fahrzeuganwendungen ausgelegt. Die DMTx MOSFETs von Diodes Incorporated eignen sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.

Gate-Treiber

Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated decken eine große Auswahl von Applikationen in Leistungssystemen und im Motorantrieb ab. Diese Gate-Treiber fungieren als Schnittstelle zwischen Mikrocontroller und IGBT- oder MOSFET-Leistungsschaltern. Die Gate-Treiber bieten optimale Antriebseigenschaften bei gleichzeitiger Steuerung der Durchzündung.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMTH6010LK3Q n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

Der n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET DMTH6010LK3Q von Diodes Inc. wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Anwendungen in der Automobilindustrie zu erfüllen. Dieser MOSFET ist produktionsseitig 100 % UIS-geprüft (Unclamped Inductive Switching), was eine bewährte und robuste Endanwendung gewährleistet. Der DMTH6010LK3Q MOSFET ist für hohe Umgebungstemperaturen geeignet und auf 175 °C eingestuft. Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für den Einsatz in Motorsteuerungssystemen, in der Karosseriesteuerungselektronik und in DC-DC-Wandlern. Der DMTH6010LK3Q MOSFET ist PPAP-fähig (Produktionsteil-Abnehmverfahren) und nach AEC-Q101 zugelassen.