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DMT2004UFDF-7

Name: Diodes Incorporated DMT2004UFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMT2004UFDF-7
Price: 0.86 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMT2004UFDF-7

Herst.- Nr.:

DMT2004UFDF-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

Datenblatt:

DMT2004UFDF-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,86 €	0,86 €
	0,538 €	5,38 €
	0,351 €	35,10 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,351 €	1.053,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-2020-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	24 V
Id - Drain-Gleichstrom:	14.1 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	550 mV
Qg - Gate-Ladung:	53.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	12.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	38.6 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9.6 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	30.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3.9 ns
Gewicht pro Stück:	6,750 mg

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Datenblatt

DMT2004UFDF-7 Datenblatt (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMT2004UF n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs

Der Diodes Incorporated DMT2004UF MOSFET ist ein 24V-n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET, der mit einem Profil von 0,6 mm und einem Footprint von 4 mm² ausgelegt ist. Der DMT2004UF MOSFET reduziert den Einschaltwiderstand, während gleichzeitig eine ausgezeichnete Schaltleistung aufrechterhalten wird. Außerdem ist der DMT2004UF gemäß den AEC-Q101-Standards für hohe Zuverlässigkeit qualifiziert. Der DMT2004UF MOSFET bietet einen Einschaltwiderstand von 4,8 bis 12,5 mΩ, eine Gate-Schwellspannung von 0,55 bis 1,45 V, einen kontinuierlichen Drainstrom von 11,2 bis 14,1 A und eine Verlustleistung von 12,5 W. Die Schaltleistung umfasst eine Ausschalt-Abfallzeit von 38,6 ns, eine Einschalt-Anlaufzeit von 9,6 ns, eine typische Ausschaltverzögerungszeit von 30,8 ns, eine typische Einschaltverzögerungszeit von 3,9 ns und eine Sperrverzögerung von 11,2 ns. Durch seine Bauweise eignet sich der DMT2004UF 24V-n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET hervorragend für Energiemanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.

Gate-Treiber

Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated decken eine große Auswahl von Applikationen in Leistungssystemen und im Motorantrieb ab. Diese Gate-Treiber fungieren als Schnittstelle zwischen Mikrocontroller und IGBT- oder MOSFET-Leistungsschaltern. Die Gate-Treiber bieten optimale Antriebseigenschaften bei gleichzeitiger Steuerung der Durchzündung.

DMTx-MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx-MOSFETs sind n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltung. Diese MOSFETs sind außerdem zur Erfüllung der strengen Anforderungen von Fahrzeuganwendungen ausgelegt. Die DMTx MOSFETs von Diodes Incorporated eignen sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.