IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V

IXYS IXSJxN120R1K SiC- Leistungs-MOSFETs von 1.200 V verfügen über eine Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ. Diese SiC-Leistungs-MOSFETs von IXYS bieten eine geringe elektrische Ladung des Gate von 79 nC (IXSJ43N120R1K) oder 155 nC (IXS80N120R1K) und eine geringe Eingangskapazität von 2.453 pF (IXSJ43N120R1K) oder 4.556 pF (IXSJ80N120R1K). Der IXSJxN120R1K bietet einen flexiblen Gate-Spannungsbereich von 15 V bis 18 V und eine empfohlene Gate-Abschaltspannung von 0 V. Applikationen umfassen Ladeinfrastrukturen für Elektrofahrzeuge (EV), Solar- Umrichter Schaltnetzteile Unterbrechungsfreie Stromversorgungen Motorantriebe und mehr.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in ISO247-4L
Datenblatt
390Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 47 mOhms 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 143.7 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in ISO247-4L
Datenblatt
400Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 23.4 mOhms 21 V 4.8 V 155 nC - 40 C + 150 C 223.2 W Enhancement