Red Enhanced Silicon Photodiodes

Advanced Photonix Red Enhanced Silicon Photodiodes offer a variety of features and packages for numerous applications. The SD113-24-21-021 is a red enhanced Bi-Cell silicon photodiode with a gap of 100µm. It is ideal for accurate nulling, centering, or measuring small positional changes packaged in a hermetic TO-5 metal package. The SD 197-23-21-041 is a red enhanced quad-cell silicon photodiode used for nulling, centering, or measuring small positional changes packaged in a hermetic TO-8 metal package.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Maximum-Wellenlänge
Dunkelstrom
Vr - Sperrspannung
Anstiegszeit
Abfallzeit
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Advanced Photonix Fotodioden Red Enhanced Ceramic Package Assembly
Datenblatt
48Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

PIN Photodiodes Through Hole 1100 nm 6 nA 75 V 190 ns 45 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Fotodioden Blue Enhanced Photodiode
Datenblatt
1.442Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.500

PIN Photodiodes SMD/SMT 1100 nm 2 nA 32 V 20 ns 20 ns - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Fotodioden Red Enhanced Photodiode
Datenblatt
36Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

PIN Photodiodes Wire 660 nm 1 nA 50 V 45 ns 45 ns - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Fotodioden Bi-Cell Red Enhanced Photodiode Assembly
Datenblatt
379Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

PIN Photodiodes TO-5 Through Hole 900 nm 500 pA 50 V 50 ns 15 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Fotodioden Red Enhanced Photodiode
Datenblatt
160erwartet ab 21.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Photodiodes TO-8 Through Hole 1100 nm 1.4 nA 50 V 190 ns 13 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Fotodioden Red Enhanced Photodiode
Datenblatt
100erwartet ab 23.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

PIN Photodiodes Wire 1100 nm 90 nA 50 V - 40 C + 100 C