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PSMN025-100HSX

Name: Nexperia PSMN025-100HSX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN025-100HSX
Price: 0.55 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN025-100HSX

Herst.- Nr.:

PSMN025-100HSX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT1205 100V 29.5A

Datenblatt:

PSMN025-100HSX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-56D-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	29.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	24.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	38.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	68 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Marke:	Nexperia
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934665466115

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Datenblatt

PSMN025-100HSX Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PSMN025 n-Kanal-MOSFET

Der Nexperia PSMN025 n-Kanal-MOSFET ist ein dualer Standard-n-Kanal-MOSFET in einem LFPAK56D-Gehäuse (Dual Power-SO8). Nexperia verwendet die TrenchMOS-Technologie. Das Bauteil zeichnet sich durch einen hohen Spitzendrainstrom-IDM und einen Kupferclip mit flexiblen Zuleitungen aus.