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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Kanalmodus
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 785Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1.547Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1.592Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 61 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1.498Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 135 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Datenblatt
428Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 124Auf Lager
800erwartet ab 31.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 123 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 560Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 109 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1.021Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 247Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 456Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 786Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
Datenblatt
1.560Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 473Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 572Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 75 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1.695Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 75 mOhms Enhancement