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NVBG070N120M3S

Name: onsemi NVBG070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG070N120M3S
Price: 14.16 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVBG070N120M3S

Herst.- Nr.:

NVBG070N120M3S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

Datenblatt:

NVBG070N120M3S Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	25 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	87 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.4 V
Qg - Gate-Ladung:	57 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	172 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8.8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	12 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	12 ns
Serie:	NVBG070N120M3S
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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Datenblatt

NVBG070N120M3S Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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