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RF4L070BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF4L070BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4L070BGTCR
Price: 1.18 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RF4L070BGTCR

Herst.- Nr.:

RF4L070BGTCR

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs DFN2020 N-CH 60V 7A

Datenblatt:

RF4L070BGTCR Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,18 €	1,18 €
	0,743 €	7,43 €
	0,492 €	49,20 €
	0,384 €	192,00 €
	0,35 €	350,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,30 €	900,00 €
	0,283 €	1.698,00 €
	0,278 €	2.502,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-2020-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	27 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	7.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.7 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.7 ns
Artikel # Aliases:	RF4L070BG

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Datenblatt

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Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RF4L070BG N-Kanal Leistungs-MOSFET

Der RF4L070BG N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist ein 60,0-V-MOSFET mit 7,0 A und einem niedrigen On-Widerstand von 27,0 mΩ, wodurch er sich ideal für Schaltapplikationen eignet. Der RF4L070BG hat eine (typische) Rückwärtserholungszeit von 25,0 ns und eine (typische) Rückwärtserholungsladung von 22,0 nC. Die Verlustleistung des Bauteils beträgt 2,0 W, und es verfügt über einen weiten Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 ℃ bis +150 ℃.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.