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GCMS040B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS040B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS040B120S1-E1
Price: 27.8 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GCMS040B120S1-E1

Herst.- Nr.:

GCMS040B120S1-E1

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

MOSFET-Module 1200V SiC COPACK Power Module

Datenblatt:

GCMS040B120S1-E1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	57 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	52 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	242 W
Verpackung:	Tube
Marke:	SemiQ
Abfallzeit:	16 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	5 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	COPACK Power Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Vf - Durchlassspannung:	1.52 V

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Datenblatt

GCMS040B120S1-E1 Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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