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GP2T080A120U

Name: SemiQ GP2T080A120U
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T080A120U
Price: 6.2 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GP2T080A120U

Herst.- Nr.:

GP2T080A120U

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

SiC-MOSFETs

Datenblatt:

GP2T080A120U Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.8 V
Qg - Gate-Ladung:	58 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	188 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	6 ns
Serie:	GP2T080A120U
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns

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Datenblatt

GP2T080A120U Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET

SemiQ GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET offers low capacitance and high system efficiency. This MOSFET features high-speed switching, increased power density, reduced heat-sink size, and a reliable body diode. The GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET parts are tested to above 1400V and avalanche tested to 200mJ. This MOSFET can be used in the applications such as solar inverters, EV charging stations, induction heating and welding, and motor drivers.