TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs bieten eine hohe Geschwindigkeit und sind mit einem unübertroffenen Wirkungsgrad für Applikationen ausgelegt, die schneller als 30 kHz schalten. Die High Speed 5 IGBTS mit TRENCHSTOP™ 5 Technologie enthalten eine schnelle und sanfte RAPID-1-Antiparalleldiode. Die H5 IGBTs bieten einen erstklassigen Wirkungsgrad in hartschaltenden und resonanten Topologien und sind ein Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation. Zu den typischen Applikationen gehören USV, Schweißumformer, Solarstringwechselrichter und Mittel- bis Hoch-Bereichs-Schaltfrequenzumrichter.

Arten von diskreten Halbleitern
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Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
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1.425Auf Lager
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Datenblatt
1.280Auf Lager
Min.: 1
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: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Datenblatt
615Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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279Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Datenblatt
382Auf Lager
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Mult.: 1
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT-Module 650 V, 40 A 3-level IGBT module
Datenblatt
8Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Datenblatt
396Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Datenblatt
480erwartet ab 10.07.2026
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IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
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200Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 45 Wochen
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)