RGSX5TS65 650-V-Field-Stop-Trench-IGBTs

Die RGSX5TS65 650-V-75-A-Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor  zeichnen sich durch eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung aus. Der RGSX5TS65 verfügt über eine Kurzschlussfestigkeitszeit von 8μs. Er ist AEC-Q101-qualifiziert und verfügt über eine bleifreie bleiplattierung.

Ergebnisse: 4
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, Automotive Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
431Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
450Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
438Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
400Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube