CoolMOS™ PFD7 600-V-SJ-Leistungs-MOSFET

Die 600 V CoolMOS™ -PFD7-SJ-Leistungs-MOSFETs von Infineon sind eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die gemäß dem Superjunction(SJ)-Prinzip ausgelegt und von Infineon wegweisend entwickelt wurden. Der CoolMOS™ PFD7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostenempfindliche Applikationen in Verbrauchermärkten, wie z. B. Ladegeräte, Adapter, Motorantriebe, Beleuchtung usw. zugeschnitten ist. Die Baureihe bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFETs zusammen mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungsverhältnis und einer hochmodernen Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt die höchsten Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, wodurch Kunden schlanke Designs entwickeln können.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
12.010Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
4.780Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5.000

Si SMD/SMT Thin-PAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
14Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5.000
Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
3.134Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3 A 2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 3.8 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
4.057Auf Lager
1.500erwartet ab 09.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
3.214Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 386 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
3.786Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.7 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
710Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 386 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
1.896Auf Lager
2.500erwartet ab 13.08.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.7 A 1.978 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
39Auf Lager
10.000erwartet ab 05.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5.000

Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
1.609Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
288Auf Lager
1.500erwartet ab 05.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 235 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
2.080Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
141Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 549 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15.3 nC - 40 C + 150 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
2.505Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 715 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.7 nC - 40 C + 150 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
1.358Auf Lager
2.500erwartet ab 16.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.7 A 1.978 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
1.498Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
368Auf Lager
3.000erwartet ab 26.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 8.5 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Rolle: 5.000

Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 3.8 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel