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FGH40N60SMD

Name: onsemi FGH40N60SMD
Brand: onsemi
SKU: 512-FGH40N60SMD
Price: 4.65 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FGH40N60SMD

Herst.- Nr.:

FGH40N60SMD

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT

Datenblatt:

FGH40N60SMD Datenblatt

ECAD Model:

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	2,67 €	26,70 €
	2,20 €	264,00 €
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	600 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.9 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	80 A
Pd - Verlustleistung:	349 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	FGH40N60SMD
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	6,390 g

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Datenblatt

FGH40N60SMD Datenblatt

Models

FGH40N60SMD Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FGH40N60SMD Field-Stop-IGBT

Der Field-Stop-IGBT FGH40N60SMD von Fairchild Semiconductor verwendet die neuartige Field-Stop-IGBT-Technologie von Fairchild und bietet optimale Leistung für Solarinverter-, USV-, Schweißgerät- und Schaltnetzteil-Anwendungen, die auf niedrige Leitungs- und Schaltverluste angewiesen sind. Der Field-Stop-IGBT FGH40N60SMD von Fairchild Semiconductor zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit, eine niedrige Sättigungsspannung, eine hohe Eingangsimpedanz und schnelles Schalten aus.

Field Stop IGBTs

onsemi Field Stop (FS) IGBTs offer optimum performance with low conduction and switching losses. These IGBTs feature high current handling capability, positive temperature coefficient, tight parameter distribution, and a wide safe operating area. The FS IGBTs come with increased breakdown voltage that improves reliability where negative ambient temperatures are present. As the temperature decreases the IGBT and FRD blocking voltage also decreases that makes the devices particularly beneficial for PV solar inverters used in colder climates. onsemi IGBTs provide fast and soft recovery that reduces power dissipation and achieves low turn-on and turn-off losses.