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TP65H070G4RS-TR

Name: Renesas Electronics TP65H070G4RS-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4RS-TR
Price: 6.85 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP65H070G4RS-TR

Herst.- Nr.:

TP65H070G4RS-TR

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT

Lebenszyklus:

Neu bei Mouser

Datenblatt:

TP65H070G4RS-TR Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TOLT-16
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	29 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	85 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Qg - Gate-Ladung:	9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	96 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7.2 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	6.2 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Verpackung ab Werk:	1300
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Regelabschaltverzögerungszeit:	56 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	43.4 ns

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Datenblatt

TP65H070G4RS-TR Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.

TP65H070G4RS 650 V SuperGaN® FET in TOLT

Der TP65H070G4RS 650 V SuperGaN^®FET im TOLT-Gehäuse von Renesas Electronics zeichnet sich durch einen Einschaltwiderstand RDS_(on)von 72 mΩ aus, der typisch für ein von oben gekühltes TOLT-Gehäuse 650 V Oberflächenmontage ist, das dem JEDEC-Standard MO-332 entspricht. Das TOLT-Gehäuse bietet Flexibilität beim Wärmemanagement, insbesondere in Systemen, die keine herkömmlichen Bauteile zur Oberflächenmontage mit Kühlung von unten zulassen. Der TP65H070G4RS ist ein normalerweise ausgeschaltetes Bauelement, das Niederspannungs-Silizium-MOSFET- und Hochspannungs-GaN-HEMT-Technologien kombiniert und so eine überlegene Zuverlässigkeit und Leistung liefert. Die Gen IV SuperGaN-Plattform nutzt fortschrittliche epitaktische (Epi) und patentierte Designtechnologien, um die Fertigung zu vereinfachen und den Wirkungsgrad gegenüber Siliziumlösungen zu verbessern. Dies wird durch die Reduzierung von Gate-Ladung, Crossover-Verlusten, Ausgangskapazität und Sperrverzögerungsladung erreicht. Der 650 V SuperGaN-TOLT-FET TP65H070G4RS von Renesas Electronics eignet sich besonders für Applikationen in den Bereichen Datenkommunikation, Industrie, Computerbranche und mehr.