FGY4LxxT120SWD n-Kanal-1.200-V-IGBTs

Die n-Kanal-1.200-V-IGBTs der Baureihe FGY4LxxT120SWD von onsemi verwenden die neuartige Field-Stop-IGBT-Technologie der 7. Generation und die Gen7-Diode in einem 4−poligen TO-247-Gehäuse. Der FGY4LxxT120SWD von onsemi bietet eine optimale Leistung mit niedrigen Schalt- und Leitungsverlusten für einen Betrieb mit hohem Wirkungsgrad in verschiedenen Applikationen, wie z. B. Solar−Wechselrichter, USV und ESS.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
onsemi IGBTs 1200V 140A FS7 IGBT TP247-4L
Datenblatt
180Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.25 kW - 55 C + 175 C FGY4L140T120SWD Tube
onsemi IGBTs 1200V 160A FS7 IGBT TP247-4L
Datenblatt
176Auf Lager
240erwartet ab 10.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.5 kW - 55 C + 175 C FGY4L160T120SWD Tube
onsemi IGBTs 1200V 100A FS7 IGBT TP247-4L
Datenblatt
49Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.071 kW - 55 C + 175 C FGY4L100T120SWD Tube
onsemi IGBTs 1200V 75A FS7 IGBT TP247-4L
Datenblatt
59Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 150 A 652 W - 55 C + 175 C FGY4L75T120SWD Tube