GTVA Hochleistungs-HF-GaN-on-SiC-HEMT

Die GTVA Hochleistungs-HF-GaN-on-SiC-HEMT von Wolfspeed/Cree sind 50-V-High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMT), die auf der Gallium-Nitrid-auf-Siliziumkarbid-Technologie basieren. GaN-on-SiC-Bauteile bieten eine hohe Leistungsdichte zusammen mit einer hohen Durchschlagspannung und ermöglichen Leistungsverstärker mit hohem Wirkungsgrad. Die GTVA Hochleistungs-HF-GaN-on-SiC-HEMT bieten eine Eingangsanpassung, einen hohen Wirkungsgrad und thermisch verbesserte Gehäuse. Diese gepulsten/CW(Dauerstrich)-Bauteile verfügen über eine Pulsbreite von 128 µs und ein Tastverhältnis von 10 %.