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NVH4L095N065SC1

Name: onsemi NVH4L095N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L095N065SC1
Price: 10.97 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVH4L095N065SC1

Herst.- Nr.:

NVH4L095N065SC1

Herst.:

onsemi

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	31 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	105 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Qg - Gate-Ladung:	50 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	64 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	KR
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	6.9 S
Verpackung:	Tube
Produkt:	Mosfets
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	12 ns
Serie:	NVH4L095N065SC1
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns