RBQxx65ANZ Schottky-Barriere-Dioden mit niedrigem IR

Die Schottky-Barriere-Dioden RBQxx65ANZ von ROHM Semiconductor sind Kathoden-Dioden mit niedrigem IR für die allgemeine Gleichrichtung. Diese Dioden werden unter Verwendung einer Silizium-Epitaxial-Planar-Bauweise hergestellt und sind in einem Power-Molded-Typ-Gehäuse (TO-220FN) verfügbar. Die RBQxx65ANZ Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor bieten eine hohe Zuverlässigkeit und eignen sich hervorragend für Schaltnetzteile und allgemeine Gleichrichtung.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
Technologie
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Low IR, 65V, 20A, ITO-220AB
Datenblatt
690Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 65 V 610 mV 100 A 30 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Low IR, 65V, 30A, ITO-220AB
Datenblatt
555Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 65 V 640 mV 100 A 35 uA + 150 C Tube