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STD25NF20

Name: STMicroelectronics STD25NF20
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD25NF20
Price: 2.07 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STD25NF20

Herst.- Nr.:

STD25NF20

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 200V 0.10Ohm 18 A StripFET FET

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Datenblatt:

STD25NF20 Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2,07 €	2,07 €
	1,32 €	13,20 €
	0,886 €	88,60 €
	0,72 €	360,00 €
	0,645 €	645,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,603 €	1.507,50 €
	0,576 €	2.880,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	18 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	125 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	28 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	110 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Serie:	STD25NF20
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

STD25NF20 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Singapur
Herstellungsland:: Singapur
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STripFET I™ Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics STrip-FET™-Leistungs-MOSFETs sind Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFETs, die vom einzigartigen „Einzelfunktionsgrößen“-Strip-basierten Verfahren profitieren. Dadurch wird die Anzahl der kritischen Anpassungsschritte reduziert, um eine hervorragende Reproduzierbarkeit zu ermöglichen. Das Ergebnis ist ein Transistor mit extrem hoher Packungsdichte für einen niedrigen Einschaltwiderstand, robuste Stoßentladungseigenschaften und eine geringe Gate-Ladung. Das Bauteil eignet sich dadurch hervorragend für Automotive-Schaltapplikationen.

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem R_DS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten R_DS(on).
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