MAGX-100027 50V GaN on Si HEMT Amplifiers

MACOM MAGX-100027 50V GaN on Si (Gallium Nitride on Silicon) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) Amplifiers are high-power devices optimized for DC to 2.7GHz frequency operation. The MAGX-100027 Amplifiers support both CW (Continuous Wave) and pulsed operation with peak output power levels from 15W to 300W. Each MACOM MAGX-100027 50V GaN device integrates a pair of isolated, symmetric amplifiers and is internally pre-matched.

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Menge RoHS ECAD Model Betriebsfrequenz
Betriebsversorgungsspannung
Betriebsversorgungsstrom
Verstärkung
Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Technologie
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
MACOM HF-Verstärker Transistor,GaN,100W,CW
Datenblatt
287Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 200 mA 18.5 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Bulk
MACOM HF-Verstärker Amplifier,GaN,50W,CW
Datenblatt
84Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 100 mA 16.8 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 120 C MAGX-100027 Bulk
MACOM HF-Verstärker Amplifier, GaN DC to 2700MHz, 250pc T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 250
Mult.: 250
Rolle: 250

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 16.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-252S-4 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Reel