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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Vgs - Gate-Source-Spannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Qorvo GaN FETs 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
Datenblatt
97Auf Lager
700erwartet ab 21.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo GaN FETs .03-3GHz,5W,32V,50Ohm GaN RF I/P-Mtch T
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 600 mA - 7 V, + 2 V - 40 C + 85 C 7.5 W