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LMG3616 650-V-GaN-Leistungs-FET

Der 650-V -GaN-Leistungs-FET LMG3616 von Texas Instruments bietet einen Widerstand von 270 mΩ mit integriertem Treiber und Schutz für Schaltnetzteilanwendungen. Dieser GaN-FET zeichnet sich durch ein vereinfachtes Design aus und reduziert die Anzahl der Komponenten durch die Integration des GaN-FET und des Gate-Treibers in ein QFN-Gehäuse der Größe 8 mm x 5,3 mm . Der GaN-FET LMG3616 verfügt über programmierbare Einschalt-Anstiegsraten, die eine EMI- und Überschwingungssteuerung ermöglichen. Der interne Gate-Treiber des Transistors regelt die Treiberspannung für einen optimalen GaN-FET-Einschaltwiderstand. Der interne Treiber reduziert die gesamte Gate-Induktivität und die Common-Source-Induktivität des GaN-FET für eine verbesserte Schaltleistung, einschließlich der Gleichtaktstörfestigkeit (CMTI). Zu den typischen Applikationen gehören Stromversorgungen für AC/DC-USB-Wandsteckdosen, AC/DC-Hilfsstromversorgungen, Fernseher, SMPS für Fernseher, das Design mobiler Wandladegeräte und USB-Wandsteckdosen.