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RF4G100BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF4G100BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4G100BGTCR
Price: 1.18 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RF4G100BGTCR

Herst.- Nr.:

RF4G100BGTCR

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs DFN2020 N-CH 40V 10A

Datenblatt:

RF4G100BGTCR Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	1,18 €	1,18 €
	0,743 €	7,43 €
	0,492 €	49,20 €
	0,384 €	192,00 €
	0,349 €	349,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,305 €	915,00 €
	0,283 €	1.698,00 €
	0,278 €	2.502,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-2020-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	14.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	10.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	5.2 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6.5 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.5 ns
Artikel # Aliases:	RF4G100BG

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RF4G100BG N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der RF4G100BG n-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist ein 40-V-, 10-A-MOSFET mit einem niedrigen Einschaltwiderstand vonΩ 14,2 mΩ, wodurch er sich hervorragend für Schaltapplikationen eignet. Der RF4G100BG hat eine (typische) Rückwärtserholungszeit von 27 ns und eine (typische) Rückwärtserholungsladung von 18 nC. Die Verlustleistung des Bauteils beträgt 2,0 W, und es verfügt über einen weiten Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 ℃ bis +150 ℃.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.