NCD57081 Gate-Treiber

Die Gate-Treiber NCD57081 von onsemi  sind Hochstrom-IGBT-Gate-Treiber mit interner galvanischer Isolation von 3,75 kVrms für eine zuverlässige Leistung in Hochleistungsanwendung. Der onsemi  NCD57081 akzeptiert komplementäre Eingangssignale und jede Ausführung bietet spezifische Eigenschaften. Der NCD57081A ist mit einer aktiven Miller-Klemme ausgestattet, der NCD57080B besitzt eine negative Stromversorgung und der NCD57081C verfügt über separate Ausgänge für den Hoch- und Niedrigseiten-Treiber (OUTH und OUTL) für mehr Komfort im Systemdesign. Alle Varianten eignen sich für eine große Auswahl von Eingangsvorspannungen und Signalpegeln (3,3 V bis 20 V) und sind in einem schmalen SOIC-8-Gehäuse verfügbar.

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Menge RoHS ECAD Model Serie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Isolierungsspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Anstiegszeit
Abfallzeit
Verpackung
onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber Isolated High Current Gate Driver
Datenblatt
2.296Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

NCD57081 SMD/SMT SOIC-8 1 Channel 3750 Vrms - 40 C + 125 C 1.315 W 13 ns 13 ns Reel, Cut Tape
onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber Isolated High Current Gate Driver
Datenblatt
2.400Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

NCD57081 SMD/SMT SOIC-8 1 Channel 3750 Vrms - 40 C + 125 C 1.315 W 13 ns 13 ns Reel, Cut Tape
onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber Isolated High Current Gate Driver
Datenblatt
2.445Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

NCD57081 SMD/SMT SOIC-8 1 Channel 3750 Vrms - 40 C + 125 C 1.315 W 13 ns 13 ns Reel, Cut Tape