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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
IXYS SiC-MOSFETs 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
Datenblatt
384Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 52 nC - 40 C + 150 C 75.3 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
Datenblatt
468Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 45 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 142 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
Datenblatt
472Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 22.5 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 154 nC - 40 C + 150 C 266 W Enhancement