PXP0 P-Kanal-Trench-MOSFETs

Nexperia PXP0 P-Kanal-Trench-MOSFETs sind Feldeffekttransistoren (FETs) im Anreicherungsmodus, die die Trench-MOSFET-Technologie verwenden. Der PXP0 P-Kanal wird in einem oberflächenmontierbaren (SMD) MLPAK33-Kunststoffgehäuse (SOT8002) geliefert. Die MOSFETs sind Logikpegel-kompatibel und verwenden die Trench-MOSFET-Technologie. Zu den typischen Applikationen gehören High-Side-Lastschalter, Batteriemanagement, DC/DC-Umwandlung und Schaltkreise.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Nexperia MOSFETs PXP012-30QL/SOT8002/MLPAK33
Datenblatt
6.947erwartet ab 19.02.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT SOT8002-1-8 P-Channel 1 Channel 30 V 15.2 A 12.8 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 43.4 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs PXP015-30QL/SOT8002/MLPAK33
Datenblatt
6.003Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 P-Channel 1 Channel 30 V 12.8 A 22 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 24.6 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel