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NCD57200DR2G

Name: onsemi NCD57200DR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCD57200DR2G
Price: 1.33 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NCD57200DR2G

Herst.- Nr.:

NCD57200DR2G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber Isolated High Side Non-Isolated LowSide

Datenblatt:

NCD57200DR2G Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,33 €	1,33 €
	0,972 €	9,72 €
	0,886 €	22,15 €
	0,783 €	78,30 €
	0,737 €	184,25 €
	0,709 €	354,50 €
	0,649 €	649,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,646 €	1.615,00 €
	0,618 €	4.635,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	NCD57200
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verzögerungszeit - Max.:	90 ns
Anstiegszeit:	13 ns
Abfallzeit:	8 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Betriebsversorgungsstrom:	380 uA
Ausgangsstrom:	1.9 A
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Produkt-Typ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Versorgungsspannung - Min.:	500 mV
Technologie:	Si
Typ:	High-Side, Low-Side

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Datenblatt

NCD57200DR2G Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

NCD57200 Halbbrücken-Gate-Treiber

Der Halbbrücken-Gate-Treiber NCD57200 von onsemi ist ein Hochspannungs-Gate-Treiber mit einem nicht isolierten Low-Side-Gate-Treiber und einem galvanisch getrennten High- oder Low-Side-Gate-Treiber. Dieser Gate-Treiber kann zwei IGBTs in einer Halbbrücken-Konfiguration direkt ansteuern. Die Gate-Treiber NCD57200 bietet optimierte Ausgangsstufen, die eine Möglichkeit zur Reduzierung der IGBT-Verluste bieten. Die galvanische Trennung für den High-Side-Gate-Treiber garantiert ein zuverlässiges Schalten bei Hochleistungsanwendungen für IGBTs, die mit bis zu 800 V betrieben werden. Der Halbbrücken-Gate-Treiber NCD57200 von onsemi enthält zwei unabhängige Eingänge mit Totzeit und Verriegelung, präzise asymmetrische UVLOs sowie kurze, angepasste Laufzeitverzögerungen. Zu den typischen Anwendungen gehören Lüfter, Pumpen, Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik und Universal-Halbbrückenanwendungen.

Galvanisch getrennte Hochstrom-Gate-Treiber

Die galvanisch getrennten Hochstrom-Gate-Treiber von onsemi bieten eine hohe Transienten- und elektromagnetische Störfestigkeit. Der NCx5700x ist ein Hochstrom-Einkanal-IGBT-Treiber mit interner galvanischer Trennung, der für einen hohen Systemwirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Die Treiber verfügen über komplementäre Eingänge, Open-Drain-Fault- und Ready-Ausgänge, eine aktive Miller-Klemme, präzise UVLOs, DESAT-Schutz, Sanftabschaltung bei DESAT und separate High- und Low-Treiberausgänge (OUTH und OUTL) für ein einfacheres Systemdesign. Die NCx5700x nimmt sowohl 5-V- als auch 3,3-V-Signale auf der Eingangsseite und einen großen Vorspannungsbereich auf der Treiberseite auf und verfügt über eine negative Spannungsbelastbarkeit. Diese Bauteile von onsemi bieten eine galvanische Trennung von >50 kV_RMS (UL1577-Einstufung) und sind >1.200 V_IORM -fähig (Betriebsspannung). Die Baureihe NCx5700x ist in eine Wide-Body-SOIC-16-Gehäuse mit garantierter Kriechstrecke von 8 mm zwischen Eingang und Ausgang erhältlich, um erhöhte Sicherheitsanforderungen an die Trennung zu erfüllen.