Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NTMFS003P03P8ZT1G

Name: onsemi NTMFS003P03P8ZT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-TMFS003P03P8ZT1G
Price: 2.37 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-TMFS003P03P8ZT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS003P03P8ZT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PFET SO8FL -30V 3MO

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTMFS003P03P8ZT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTMFS003P03P8ZT1G

Auf Lager: 2.198

Lagerbestand:: 2.198 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 26 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	2,37 €	2,37 €
	1,53 €	15,30 €
	1,06 €	106,00 €
	0,846 €	423,00 €
	0,799 €	799,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0,799 €	1.198,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	234 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	277 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	139 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	380 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	116 ns
Serie:	NTMFS003P03P8Z
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	325 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	28 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTMFS003P03P8ZT1G Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTMFS003P03P8Z P-Kanal MOSFET

Der NTMFS003P03P8Z P-Kanal-MOSFET von Onsemi ist ein einzelner -30 V MOSFET, der in den Abmessungen 5 mm x 6 mm erhältlich ist, um Platz zu sparen und eine hervorragende Wärmeleitung zu gewährleisten. Dieser P-Kanal-MOSFET verfügt über 1,8 mΩ ultra-niedrigen R_DS(on) zur Verbesserung der Systemeffizienz und -234 A Drainstrom. Der NTMFS003P03P8Z P-Kanal-MOSFET arbeitet im Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 150°C. Dieser MOSFET ist ein Pb-freies, halogenfreies/BFR-freies und RoHS-konformes Gerät. Der NTMFS003P03P8Z MOSFET eignet sich als Lastschalter, Rückstromschutz, Überspannungsschutz und Schutz vor negativer Rückspannung sowie für das Batteriemanagement.