i1R ORing-MOSFET-Module

TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module sind hocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind. Diese MOSFET-Module nutzen fortschrittliche MOSFET-basierte Schaltungen, um Transienten und Leitungsverluste zu minimieren und einen Wirkungsgrad von bis zu 99,5 % zu erreichen. Die i1R ORing-MOSFET-Module gehen kritische Herausforderungen im Bereich Wärmemanagement und Leistungsdichte, insbesondere in Hochstromsystemen, an. Diese MOSFET-Module bieten einen kompakten, abgeschirmten Formfaktor, der einen Ausgangsstrom von bis zu 80 A mit minimaler Leistungsreduzierung unterstützt und somit eine zuverlässige Leistung in platzbeschränkten Umgebungen ermöglicht. Die i1R MOSFET-Module zeichnen sich durch einen großen Eingangsspannungsbereich, ein schnelles Abschalten bei Fehlerbedingungen und ein branchenübliches Gehäuse aus. Typische Applikationen umfassen Robotik, Rundfunk, batteriebetriebene Geräte, Industrie und Kommunikation.

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TDK-Lambda MOSFET-Module ORing Module, PCB Mount, 3.3-30V, 80A, 1x1, 0.145" pin length 45Auf Lager
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Si Press Fit - 40 C + 120 C i1R
TDK-Lambda MOSFET-Module ORing Module, PCB Mount, 5-60V, 60A, 1x1, 0.145" pin length 45Auf Lager
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Si Press Fit - 40 C + 120 C i1R
TDK-Lambda MOSFET-Module ORing Module, PCB Mount, 3.3-30V, 80A, 1x1, 0.220" pin length 43Auf Lager
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Si Press Fit - 40 C + 120 C i1R
TDK-Lambda MOSFET-Module ORing Module, PCB Mount, 5-60V, 60A, 1x1, 0.220" pin length 39Auf Lager
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Si Press Fit - 40 C + 120 C i1R