MPQ1918 Halbbrücken-GaN-/MOSFET-Treiber
Monolithic Power Systems (MPS) MPQ1918 Halbbrücken-GaN-/MOSFET-Treiber sind für die Ansteuerung von Anreicherungstyp-Galliumnitrid(GaN)-FETs oder n-Kanal-MOSFETs mit einer niedrigen Gate-Schwellenspannung ausgelegt. Diese Halbbrückentreiber verfügen über unabhängige High-Side(HS)- und Low-Side(LS)-Pulsweitenmodulations(PWM)-Eingänge. Die MPQ1918 Halbbrückentreiber bieten eine Bootstrap-Technik für die HS-Treiberspannung für den Betrieb bis zu 100 VDC. Diese Treiber umfassen einen Spannungsbereich von 3,7 V bis 5,5 V (VCC), einen Pull-down-/Pull-up-Widerstand von 0,27 Ω/1,2 Ω und separate Gate-Ausgänge für einstellbare Ein- und Ausschaltfunktionen. Die MPQ1918 Halbbrückentreiber sind AEC-Q100 Klasse 1 qualifiziert und in einem FCQFN-14-Gehäuse verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Halbbrücken- und Vollbrückenwandler, Audio-Verstärker der Klasse D, synchrone Abwärtswandler und Leistungsmodule.
