RS1G201ATTB1

ROHM Semiconductor
755-RS1G201ATTB1
RS1G201ATTB1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs HSOP8 P-CH 40V 20A

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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
HSOP-8
P-Channel
1 Channel
40 V
78 A
5.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
130 nC
+ 150 C
40 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 250 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 98 ns
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 330 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 24 ns
Artikel # Aliases: RS1G201AT
Gewicht pro Stück: 771,020 mg
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

RS1G201ATTB1 Leistungs-MOSFET

Der RS1G201ATTB1 Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor verfügt über eine Pb-freie Beschichtung, einen niedrigen On-Widerstand und ein kleines HSOP8-Gehäuse zur Oberfläche Montage. Dieser MOSFET arbeitet bei einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C, -40 V Drain-Source-Spannung, ±80 A gepulstem Drain-Strom und ±20 V Gate-Source-Spannung. Der RS1G201ATTB1 Leistungs-MOSFET ist ideal für den Einsatz beim Schalten von Lasten.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.