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NTTFS1D2N02P1E

Name: onsemi NTTFS1D2N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS1D2N02P1E
Price: 2.58 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTTFS1D2N02P1E

Herst.- Nr.:

NTTFS1D2N02P1E

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 25V 1.2 MOHM PC33

Datenblatt:

NTTFS1D2N02P1E Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2,58 €	2,58 €
	1,68 €	16,80 €
	1,16 €	116,00 €
	0,963 €	481,50 €
	0,877 €	877,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,877 €	2.631,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PQFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	180 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	24 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	52 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	9.8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	224 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	13 ns
Serie:	NTTFS1D2N02P1E
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	38.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24.6 ns
Gewicht pro Stück:	122,136 mg

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Datenblatt

NTTFS1D2N02P1E Datenblatt

PCN

ON Semiconductor MPN Label Format Change (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTTFS1D2N02P1E Leistungs-MOSFET

Der Leistungs-MOSFET NTTFS1D2N02P1E von onsemi ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 1 mW, 180 A, und 25 V, der Vorteile wie z. B. minimierte Leitungs- und Treiberverluste bietet. Der Leistungs-MOSFET NTTFS1D2N02P1E von onsemi verfügt über einen niedrigen R_DS(on), geringe Q_G und Kapazität. Mit dem kleinen Footprint einer fortschrittlichen Gehäusetechnologie von 3,3 mm × 3,3 mm ist dieser n-Kanal-Leistungs-MOSFET kompakt im Design und bietet eine hervorragende thermische Leistung. Zu den typischen Anwendungen gehören DC/DC-Wandler, Leistungslastschalter, und sekundärseitige Gleichrichtung.