Integrierte MOSFET-Lösungen

Die integrierten MOSFET-Lösungen von Vishay kombinieren Bauelemente in einem einzigen monolithischen Chip, um die Leistungsdichte zu erhöhen, den Wirkungsgrad zu steigern, das Design zu vereinfachen und die BOM-Kosten zu senken. Diese Einzel- und Multi-Chip-MOSFETs vereinen Funktionen wie Schottky-Dioden und ESD-Schutz. Sie zeichnen sich durch n- und p-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit niedrigem Einschaltwiderstand und niedrigem thermischen Widerstand aus. 

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Vishay / Siliconix MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
Datenblatt
Nicht auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAIR-3x3-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A, 30 A 11.5 mOhms, 28.5 mOhms - 16 V, 20 V 2.2 V, 2.4 V 6.6 nC, 10 nC - 55 C + 150 C 16 W, 16.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 12 A, 16 A 24 mOhms, 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 1.2 V 12 nC, 23 nC - 55 C + 150 C 20 W, 33 W Enhancement TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 6.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 60 A 3.8 mOhms, 1.17 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 24.5 nC, 100 nC - 55 C + 150 C 38 W, 83 W Enhancement TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR Reel
Vishay Semiconductors MOSFETs 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

Si SMD/SMT Triple die N-Channel, P-Channel 3 Channel 40 V, 200 V 20 A, 30 A 9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms - 25 V, 25 V 1.5 V, 2.5 V 14 nC, 23 nC, 30.2 nC - 55 C + 175 C 48 W, 60 W Enhancement TrenchFET Reel