UG3SC120009K4S

Name: onsemi UG3SC120009K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UG3SC120009K4S
Price: 59.28 EUR
Availability: InStock

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

431-UG3SC120009K4S

Herst.- Nr.:

UG3SC120009K4S

Herst.:

onsemi

Datenblatt:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	JFETs
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 25 V to 25 V
Drain-Source-Strom bei Vgs=0:	6 uA
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.6 mOhms
Pd - Verlustleistung:	789 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	UG3S
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	US
Ursprungsland:	PH
Produkt-Typ:	JFETs
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors