CLP24H4S30PXY

Name: Ampleon CLP24H4S30PXY
Brand: Ampleon
SKU: 94-CLP24H4S30PXY
Price: 56.11 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

94-CLP24H4S30PXY

Herst.- Nr.:

CLP24H4S30PXY

Herst.:

Ampleon

Beschreibung:

GaN FETs CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

CLP24H4S30PXY Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Ampleon
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	774 uA
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 15 V, 2 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 2.2 V
Maximale Betriebstemperatur:	+ 225 C
Marke:	Ampleon
Verstärkung:	18.4 dB
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsleistung:	30 W
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN SiC
Typ:	RF Power MOSFET

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Datenblatt

CLP24H4S30PXY Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor

Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor is a high-efficiency 30W device designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range. Engineered for use in industrial, scientific, medical, and consumer cooking systems, the Ampleon CLP24H4S30P offers excellent power performance and thermal stability. The device features an internally input-matched design and supports broadband operation, minimizing the need for complex external matching circuits. Housed in a compact 7mm x 7mm DFN surface-mount package, the CLP24H4S30P is ideal for compact, high-power RF amplifier designs.