YQx0 Automobilstandard-Schottky-Barriere-Dioden

Die YQx0 Automobilstandard-Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor bieten niedrige Durchlassspannungen, Sperrströme und Kapazitäten mit hoher Zuverlässigkeit. Die AEC-Q101-qualifizierten YQx0 Schottky-Barriere-Dioden verfügen über eine Trench-MOS-Struktur mit einer Sperrschichttemperatur von +150 °C. Zu den Applikationen gehören Automotive, Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Umpolungsschutz.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
Technologie
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ10RSM10SDTF is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable opera
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7.578Auf Lager
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Rolle: 4.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 100 V 610 mV 200 A 80 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10CDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
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1.900Auf Lager
MouseReel verfügbar
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Rolle: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263L-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 100 V 650 mV 150 A 70 uA + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10SEFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
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2.000Auf Lager
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Rolle: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263L-3 Single Si 20 A 100 V 790 mV 200 A 80 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20BM10SDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operati
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2.500erwartet ab 27.05.2026
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Mult.: 1
Rolle: 2.500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Single Si 20 A 100 V 790 mV 150 A 80 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Trench MOS Structure, 100V, 30A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ30NL10SEFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
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1.280Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263L-3 Single Si 30 A 100 V 780 mV 200 A 150 uA + 150 C Reel, Cut Tape