IRS2334STRPBF

Infineon Technologies
942-IRS2334STRPBF
IRS2334STRPBF

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber Gen5 HVIC 600V 35A 3 Phase Gt Drvr

ECAD Model:
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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
2,03 € 2,03 €
1,51 € 15,10 €
1,38 € 34,50 €
1,23 € 123,00 €
1,16 € 290,00 €
1,13 € 565,00 €
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0,998 € 998,00 €
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Tube
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
4,21 €
Min:
1

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-20
3 Driver
6 Output
200 mA
10 V
20 V
125 ns
50 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Infineon Technologies
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 530 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 530 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 300 uA
Pd - Verlustleistung: 1.14 W
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Gewicht pro Stück: 801 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8542319000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310075
KRHTS:
8542311000
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99

High Voltage Gate Driver ICs

Infineon offers the IRS2334 Series High Voltage Gate Driver ICs as high voltage, high-speed power MOSFET, and IGBT drivers with three independent high side and low side referenced output channels for 3-phase applications. The IRS2334 Series is designed to provide comprehensive protection including proprietary negative voltage spike (Vs) immunity for safe operation under extreme switching conditions and short circuit events. These devices feature proprietary HVIC and latch immune CMOS technology and ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3V. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Matched propagation delays for each channel simplify use in high-frequency applications. The floating channel can be used to drive N-channel power MOSFETs or IGBTs in the high side configuration up to 600V.

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.