TRSxxN65FB 650-V-SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Toshiba TRSxxN65FB 650-V-SiC-Schottky-Barriere-Dioden (SBDs) sind Siliziumkarbid(SiC)-SBDs der 2. Generation mit verbessertem JBS-Chip-Design (Junction Barrier-controlled Schottky-structure, JBS). Diese Bauteile bieten eine hohe Stoßstrombelastbarkeit und verlustarme Eigenschaften mit nicht-periodischem Spitzendurchlassstromstoß. Die TRSxxN65FB Dioden verwenden das TO-247-Gehäuse und bieten vier (12 A, 16 A, 20 A und 24 A) DC-Durchlassstromwerte (beide Beine), die eine Erhöhung der Leistungsfähigkeit von Bauteilen unterstützen. Die dünne Wafer-Technologie sorgt für niedrige Durchlassspannungen und niedrige Schaltverluste. Zu den typischen Applikationen gehören Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Server-Stromversorgungen (USV), Kommunikationsanlagen, Multifunktionsdrucker, DC/DC-Wandler und Stromversorgungssysteme für Elektrofahrzeuge.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Toshiba SiC Schottky Dioden SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
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30Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 16 A 650 V 1.6 V 130 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=12A
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11Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 12 A 650 V 1.6 V 104 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 650V 10A RDL SIC SKY
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60Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.6 V 158 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A
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6Auf Lager
90erwartet ab 10.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 24 A 650 V 1.6 V 184 A 600 nA + 175 C Tube