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FGY140T120SWD

Name: onsemi FGY140T120SWD
Brand: onsemi
SKU: 863-FGY140T120SWD
Price: 12 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FGY140T120SWD

Herst.- Nr.:

FGY140T120SWD

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs 1200V, 140A Field Stop VII (FS7) Fast Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging

Datenblatt:

FGY140T120SWD Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	280 A
Pd - Verlustleistung:	1.153 kW
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	FGY140T120SWD
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	IGBTs

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Datenblatt

FGY140T120SWD Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-11-20 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FGY140T120SWD 1200 V Schneller diskreter 140 A-IGBT

Der Onsemi FGY140T120SWD 1200 V schnelle diskrete 140 A-IGBT ist mit der fortschrittlichen IGBT-Technologie der 7. Generation ausgestattet. Der onsemi FGY140T120SWD ist in einem TO247-Gehäuse mit 3 Anschlüssen untergebracht. Das Bauteil bietet hohe Effizienz in Solar-, USV- und ESS-Anwendungen mit minimalen Schalt- und Leitungsverlusten.