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NVHL015N065SC1

Name: onsemi NVHL015N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL015N065SC1
Price: 31.27 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVHL015N065SC1

Herst.- Nr.:

NVHL015N065SC1

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 12 mohm, 650V, M2, TO247-3L

Datenblatt:

NVHL015N065SC1 Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	163 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Qg - Gate-Ladung:	283 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	643 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	44 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	77 ns
Serie:	NVHL015N065SC1
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	47 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns

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Datenblatt

NVHL015N065SC1 Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

M2 EliteSiC-MOSFETs

onsemi M2 EliteSic-MOSFETs verfügen über Spannungsoptionen von 650 V, 750 V und 1.200 V. Die M2-MOSFETs von onsemi sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar, einschließlich D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4-8x8, TO-247-3LD und TO-247-4LD. Die MOSFETs bieten Flexibilität bei Design und Implementierung. Darüber hinaus verfügen die M2 EliteSic MOSFETs über eine maximale Gate-Source-Spannung von +22 V/-8 V, einen niedrigen R_DS(on) und eine hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT).

NVHL015N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET

Der onsemi NVHL015N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET verwendet eine neue Technologie, die eine hervorragende Schaltleistung und hohe Zuverlässigkeit bietet. Dieser SiC-MOSFET verfügt über einen n-Kanal, einen hohen Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Der NVHL015N065SC1 MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine kompakte Chip-Größe, die eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet. Dieser EliteSiC-MOSFET ist 100 % UIL-getestet und AEC−Q101-qualifiziert. Der NVHL015N065SC1 MOSFET verfügt über eine Drain−to−Source-Spannung von 650 V und einen Widerstand von 12 mOhm. Zu den typischen Applikationen gehören Automotive-Traktionswechselrichter, DC/DC-Wandler für EV/HEV und On-Board-Ladegeräte.