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SI8410DB-T2-E1

Name: Vishay SI8410DB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8410DB-T2-E1
Price: 1.13 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SI8410DB-T2-E1

Herst.- Nr.:

SI8410DB-T2-E1

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

Datenblatt:

SI8410DB-T2-E1 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,13 €	1,13 €
	0,772 €	7,72 €
	0,544 €	54,40 €
	0,439 €	219,50 €
	0,402 €	402,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,347 €	1.041,00 €
	0,345 €	2.070,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	37 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	850 mV
Qg - Gate-Ladung:	10.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.8 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	SI8
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

SI8410DB-T2-E1 Datenblatt

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen R_DS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.

Si8410DB 20V (D-S) n-Kanal-MOSFET

Der Vishay Si8410DB ist ein extrem kleiner und extrem dünner n-Kanal 20V (DS) MOSFET, der ein Micro-Foot- Gehäuse mit einer Auflagefläche von nur 1mm x 1mm nutzt. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 20V, ist RoHS-konform und halogenfrei. Der Si8410D wird typischerweise für Lastschalter, Energiemanagement und Hochgeschwindigkeitsschalter verwendet.
Weitere Informationen

Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten.