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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 16A, 650V, SiC Schottky Diode
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1.000Auf Lager
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Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.38 V 100 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 16A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
997Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.38 V 100 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 20A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
985Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.38 V 128 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 6A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
984Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.32 V 44 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 8A, 650V, SiC Schottky Diode
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998Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.35 V 72 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 10A, 650V, SiC Schottky Diode
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1.000Auf Lager
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Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.34 V 84 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 12A, 650V, SiC Schottky Diode
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977Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.36 V 88 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 16A, 650V, SiC Schottky Diode
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200Auf Lager
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Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 16 A 650 V 1.33 V 68 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 20A, 650V, SiC Schottky Diode
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290Auf Lager
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Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.34 V 88 A 20 uA AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 30A, 650V, SiC Schottky Diode
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300Auf Lager
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Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 30 A 650 V 1.36 V 128 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 40A, 650V, SiC Schottky Diode
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274Auf Lager
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Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 40 A 650 V 1.33 V 140 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 6A, 650V, SiC Schottky Diode
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974Auf Lager
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Through Hole TO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.32 V 44 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 8A, 650V, SiC Schottky Diode
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550Auf Lager
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Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.35 V 72 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 10A, 650V, SiC Schottky Diode
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978Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.34 V 84 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 12A, 650V, SiC Schottky Diode
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1.000Auf Lager
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Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.65 V 88 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 20A, 650V, SiC Schottky Diode
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
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Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.38 V 128 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube