NVH4L022N120M3S Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

Die Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs NVH4L022N120M3S von ON Semiconductor bieten eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit als herkömmliche Silizium-MOSFETs. Die MOSFETs NVH4L022N120M3S von ON Semiconductor zeichnen sich durch einen niedrigen On-Widerstand und eine kompakte Chipgröße aus, die eine geringe Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet. Zu den Vorteilen des Systems gehören ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine kleinere Systemgröße.